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《Phys. Rev. B》刊发陈亚江副教授团队关于表面超导态电场调控机制的研究成果

2023年10月18日 09:14 点击:[]


近日,理学院物理系计算物理团队陈亚江副教授、罗小兵教授、国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院张力波博士、以及俄罗斯高等经济研究大学(HSE University)量子超材料中心A. A. Shanenko教授合作在国际著名物理期刊《Phys. Rev. B》上发表了题为“Tailoring of interference-induced surface superconductivity by an applied electric field”的学术论文。

硕士研究生白云飞为第一作者,陈亚江副教授为通讯作者,浙江理工大学为第一论文署名单位。该工作得到了浙江省自然科学基金、浙江理工大学科研启动科学基金,以及HSE University基础研究项目的支持。


工作简介:

一直以来,超导表面态被认为是存在于介于上临界磁场和第三临界磁场之间的磁场条件下,亦或由界面处电子-声子相互作用诱导所致。最近有研究报道了新的一类表面超导态,其由量子干涉诱导,且具有增强的临界超导温度。这种情况下的超导电子对虽然分布在整个系统内,但却同时在表面附近表现出干涉相长效应。本项工作基于一维带吸引势Hubbard模型,通过数值自洽求解Bogoliubov-de Gennes方程,研究了外电场对干涉型表面超导态的影响。结果表明,表面超导特性对所施加的电场敏感,且可以通过改变电场的强度来调控表面超导临界转变温度。该工作为基于干涉型表面超导态的超导电子元器件的研发提供了重要的理论指导。

论文信息

Yunfei Bai, Libo Zhang, Xiaobing Luo, A. A. Shanenko, and Yajiang Chen*, Phys. Rev. B 108, 134506 (2023).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.134506

DOI: 10.1103/PhysRevB.108.134506


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