近日，浙江省自然科学基金委员会公布了2024年度浙江省基础公益研究计划评审结果，我院教师共获得9个项目资助，其中联合基金杭州市重大项目1项，重点项目2项，探索项目6项，获资助率为45%，同比增长15.83%。崔灿教授主持的项目获联合基金杭州市重大项目资助，实现学院联合基金重大项目突破。

序号	主持人	所在系	项目类别
1	崔灿	物理	联合基金/杭州市/重大项目
2	刘爱萍	物理	省自然科学基金/重点项目
3	马满军	数学	省自然科学基金/重点项目
4	李刚	数学	省自然科学基金/探索项目/探索一般
5	沈远	数学	省自然科学基金/探索项目/探索一般
6	陈繁繁	数学	省自然科学基金/探索项目/探索青年
7	魏兴波	物理	省自然科学基金/探索项目/探索青年
8	吴超	物理	省自然科学基金/探索项目/探索青年
9	周正阳	物理	省自然科学基金/探索项目/探索青年

获批联合基金重大项目介绍：

项目名称：大尺寸高质量碳化硅单晶中位错演变和调控

负责人简介：崔灿，博士，教授，博士生导师，省级领军人才，浙江省真空学会常务理事。2001年毕业于浙江大学物理系获理学学士学位，2006年毕业于浙江大学硅材料国家重点实验室获工学博士学位。2008年-2009年在日本东北大学做博士后，开展晶体生长的研究。2014年在日本国立物质材料研究所访问，开展晶体表面结构和性质的研究。现主要从事半导体材料的晶体生长、杂质和缺陷以及光伏器件的研究。主持国家自然科学基金、浙江省自然科学基金等项目10余项，在Advanced Science, Nano Energy, Appl. Phys. Lett., 等学术期刊发表学术论文150余篇，授权发明专利10余项，获得浙江省教学成果二等奖和浙江省研究生教育学会教学成果奖一等奖各1项。

研究内容：大尺寸碳化硅晶体因存在大量的位错缺陷，严重制约了碳化硅器件成品率的。本项目研究碳化硅单晶生长过程中位错的产生和演变规律，基于对位错动力学行为和位错与杂质相互作用机制的理解，优化大尺寸高质量碳化硅晶体的生长工艺，发展降低晶体中位错密度和调控位错密度分布的有效方法。